基于注入自旋预cession 的铁磁体-半导体-铁磁体结构中高频自旋阀效应
材料科学
2009-11-10 v3
摘要
描述了一种新的磁阻机制，基于铁磁体(FM)向半导体(S)中投射自旋电子的隧穿发射，以及在外部磁场作用下半导体层中自旋的预cession。考虑了包含FM-S界面极薄的高掺杂(δ掺杂)层的FM-S-FM结构。在特定参数下，该结构在室温下对频率最高可达100 GHz的场的变化极为敏感。电流随场的变化而振荡，其相对�幅仅由FM-S界面磁极化所决定。在相对较大的偏压电压下。
关键词
引用
@article{arxiv.cond-mat/0309473,
title = {High-frequency spin valve effect in ferromagnet-semiconductor-ferromagnet structure based on precession of injected spins},
author = {A. M. Bratkovsky and V. V. Osipov},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0309473},
year = {2009}
}
备注
5 pages, 2 figures, (v2) new plot with a dependence of current J on magnetic field H added in Fig.2 (top panel), minor amendments in the text; (v3) minor typos corrected. To appear in Phys. Rev. Letters