超导自旋阀中逆自旋开关效应的起源

铁磁体/超导体/铁磁体(F/S/F)自旋阀在其超导转变温度$T_c$附近的电阻取决于F层的磁化状态。这种现象被称为自旋开关效应(SSE)，表现为F层平行($R_P$)和反平行($R_{AP}$)构型之间的电阻差异。在不同的超导自旋阀系统中，已观察到标准SSE($R_{P}>R_{AP}$)和逆SSE($R_{P}<R_{AP}$)，但逆SSE的起源此前尚不清楚。在此，我们报告了在Ni$_{81}$Fe$_{19}$/Nb/Ni$_{81}$Fe$_{19}$/Ir$_{25}$Mn$_{75}$自旋阀中观察到标准SSE和逆SSE共存。我们的测量表明，逆SSE源于由F层中静磁耦合的Néel畴壁对产生的杂散磁场引起的涡旋耗散流。