反铁磁自旋翻转跃迁附近的自旋塞贝克效应

我们为易轴反铁磁体中的界面自旋塞贝克效应（SSE）建立了低温、长波理论。Néel 序的场致自旋翻转（SF）跃迁伴随着 SSE 行为的定性改变：在 SF 以下，存在两个具有相反磁矩的自旋载流子，其中沿场极化的载流子形成多数磁子带。在 SF 以上，低能、类铁磁模具有与场相反的磁矩。这导致 SSE 在 SF 两侧变号，与近期在 Cr$_2$O$_3$/Pt 和 Cr$_2$O$_3$/Ta 器件上的测量一致 [Li $\textit{et al.,}$ $\textit{Nature}$ $\textbf{578,}$ 70 (2020)]。在我们的理论中，SF 以下的 SSE 源于 Néel 自旋流，SF 以上源于磁自旋流。使用相关的 Néel 与磁自旋混合电导之比作为单一常数拟合参数，我们重现了实验数据的场依赖关系，并在部分上重现了跨越 SF 的相对 SSE 跳跃的温度依赖关系。