半导体场效应晶体管中观察到的自旋阀效应：一种新型自旋电子器件
介观与纳米尺度物理
2009-10-31 v1
摘要
我们报道了第一个自旋电子半导体场效应晶体管。该器件的注入器和收集器触点由具有不同 coercive 场的磁性铁镍薄膜制成，这使得它们在不同的外部磁场下可以平行或反平行地磁化。 conducting 介质是一个在 AlSb/InAs 量子阱中形成的二维电子气 (2DEG)。来自该器件的数据表明，其电阻由两种不同的自旋阀效应控制：一种发生在铁磁体-2DEG 界面处；另一种发生在触点之间的直接传播中。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9902057,
title = {An observation of spin-valve effects in a semiconductor field effect transistor: a novel spintronic device},
author = {S. Gardelis and C. G Smith and C. H. W. Barnes and E. H. Linfield and D. A. Ritchie},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9902057},
year = {2009}
}
备注
4 pages, 2 figures