具有单一铁磁体的结中的自旋阀效应
材料科学
2025-03-05 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
自旋阀是自旋电子存储器件中的关键组件，其电导通过控制铁磁元件中磁化的排列来调制自旋极化电子隧穿。虽然传统自旋阀不可避免地需要至少两个铁磁元件，但在此我们展示了一种基于隧穿结的范德华自旋阀，该隧穿结仅包含一个这样的铁磁层。我们的器件结合了作为自旋注入极的Fe3GeTe2电极与由在其居里温度以上工作的CrBr3多层膜形成的顺磁隧穿势垒。我们表明，这些器件表现出与传统自旋阀相当的电导调制值。对磁电导的定量分析考虑了CrBr3的场诱导磁化，并包含了交换相互作用的影响，证实了自旋阀效应源于势垒的顺磁响应，而CrBr3中不存在自发磁化。
引用
@article{arxiv.2503.02462,
title = {Spin valve effect in junctions with a single ferromagnet},
author = {Fengrui Yao and Volodymyr Multian and Kenji Watanabe and Takashi Taniguchi and Ignacio Gutierrez Lezama and Alberto F. Morpurgo},
journal= {arXiv preprint arXiv:2503.02462},
year = {2025}
}