本征二维磁性半导体Cr2Ge2Te6中的自旋过滤效应
材料科学
2022-10-26 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
通过机械剥离与堆叠制备了全范德瓦耳斯（vdW）Fe3GeTe2/Cr2Ge2Te6/石墨磁性异质结，并详细研究其磁输运性质。在低偏压下观察到大的负结磁电阻，并归因于穿过绝缘Cr2Ge2Te6层的自旋守恒隧穿输运。随着偏压增大，发生向Fowler-Nordheim隧穿的 crossover。隧穿磁电阻（TMR）的负号表明Cr2Ge2Te6的导带底属于少数自旋，与某些第一性原理计算的结果相反。本工作表明基于二维磁性绝缘体的vdW异质结构是深入理解自旋极化隧穿输运的宝贵平台，而后者是追求高性能自旋电子器件与多种量子现象的基础。
引用
@article{arxiv.2210.13685,
title = {Spin filtering effect in intrinsic 2D magnetic semiconductor Cr2Ge2Te6},
author = {Honglei Feng and Gang Shi and Dayu Yan and Yong Li and Youguo Shi and Yang Xu and Peng Xiong and Yongqing Li},
journal= {arXiv preprint arXiv:2210.13685},
year = {2022}
}
备注
17 pages, 4 figures. This article may be downloaded for personal use only. Any other use requires prior permission of the author and AIP Publishing