铁磁半导体 Cr2Ge2Te6 的原子尺度电子结构
材料科学
2019-05-08 v1
摘要
Cr2Ge2Te6 是一种具有范德瓦耳斯型层状结构的内禀铁磁半导体，因此是新型电子与自旋电子器件的 promising 材料。此处我们结合扫描隧道显微镜与第一性原理计算来研究 Cr2Ge2Te6 的电子结构。隧道谱揭示了跨越铁磁到顺磁相变时令人惊讶的大能级移动与能隙尺寸变化，以及 Cr 位缺陷上奇特的双峰电子态。这些特征可由密度泛函理论计算定量解释，其揭示了电子结构与磁序之间的紧密关联。这些发现为 Cr2Ge2Te6 的微观电子结构与磁序起源提供了重要的新认识。
引用
@article{arxiv.1905.02444,
title = {Atomic scale electronic structure of the ferromagnetic semiconductor Cr2Ge2Te6},
author = {Zhenqi Hao and Haiwei Li and Shunhong Zhang and Xintong Li and Gaoting Lin and Xuan Luo and Yuping Sun and Zheng Liu and Yayu Wang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1905.02444},
year = {2019}
}
备注
16 pages, 4 figures