双层铁磁半导体 Cr2Ge2Te6 中可调的电子结构与磁各向异性
强关联电子
2021-03-18 v1
摘要
二维范德瓦耳斯材料中铁磁性的出现引起了广泛关注。然而，铁磁不稳定性一直是一个遗留问题。在本工作中，我们通过第一性原理计算，确定了双层 Cr2Ge2Te6 的应变与掺杂的临界范围，在此范围内铁磁稳定性可得到增强。超出临界范围时，拉伸应变可诱导从铁磁到反铁磁的相变，而由于压缩应变或静电掺杂的增加，磁易轴方向可从面外转变为面内。我们还预测了一个电子掺杂范围，在此范围内铁磁性可增强，同时保持铁磁稳定性。此外，我们发现压缩应变可反转导带底电子的自旋极化，从而通过在双层 Cr2Ge2Te6 中控制静电掺杂可诱导两类半金属。这些结果应为实现低维材料的铁磁稳定性提供启示。
引用
@article{arxiv.2103.09456,
title = {Tunable electronic structure and magnetic anisotropy in bilayer ferromagnetic semiconductor Cr2Ge2Te6},
author = {Wen-ning Ren and Kui-juan Jin and Jie-su Wang and Chen Ge and Er-Jia Guo and Cheng Ma and Can Wang and Xiulai Xu},
journal= {arXiv preprint arXiv:2103.09456},
year = {2021}
}
备注
20 pages, 7 figures