CrSBr 中磁阻与磁各向异性的应变工程
材料科学
2025-08-01 v2 介观与纳米尺度物理
应用物理
摘要
在开发先进技术应用中，调控范德华力磁性材料的磁阻和磁各向异性至关重要。就此而言，应变工程已成为一种强大且多功能的策略，用于控制二维极限下的磁性。本文展示了压缩双向应变显著增强 few-layer CrSBr 薄片的磁阻和磁各向异性。通过在冷却时对聚合物基底进行热压缩，将应变有效传递至薄片，由温度依赖拉曼光谱确认了这一点。这种应变导致磁阻比和沿每个晶轴方向磁化取向所需的饱和场显著增大，沿磁易轴方向可实现双倍增益。该增强伴随着约 10K 的 Néel 温度轻微降低。我们的实验结果得到第一性原理计算的充分支持，这些计算将观察到的效应关联到应变驱动的层间交换耦合和磁各向异性能的修改上。这些发现为在二维磁性半导体中精细调控磁传输性质提供了关键工具，为实现自旋器件和信息存储设备的应用指明了道路。
引用
@article{arxiv.2504.09920,
title = {Strain Engineering of Magnetoresistance and Magnetic Anisotropy in CrSBr},
author = {Eudomar Henríquez-Guerra and Alberto M. Ruiz and Marta Galbiati and Alvaro Cortes-Flores and Daniel Brown and Esteban Zamora-Amo and Lisa Almonte and Andrei Shumilin and Juan Salvador-Sánchez and Ana Pérez-Rodríguez and Iñaki Orue and Andrés Cantarero and Andres Castellanos-Gomez and Federico Mompeán and Mar Garcia-Hernandez and Efrén Navarro-Moratalla and Enrique Díez and Mario Amado and José J. Baldoví and M. Reyes Calvo},
journal= {arXiv preprint arXiv:2504.09920},
year = {2025}
}