原子薄片 CrSBr 中的自旋纹理与隧道磁阻
介观与纳米尺度物理
2025-05-01 v2
摘要
对 van der Waals 磁性半导体中自旋配置和磁阻进行探索，尤其是针对薄层结构，在发展二维自旋电子器件方面具有重大意义。本文针对少层 CrSBr 单晶进行详尽的磁性输运和光致发光研究。我们的研究结果显示，少层 CrSBr 的磁性状态呈现复杂演化路径。我们观察到在相同净磁化状态下表现出整流特性的中间状态，类似于在正负偏压电压下表现出阐射特性。值得注意的是，在 5 层 CrSBr 器件中，我们检测到在沿 b 轴方向施加平行磁场时出现令人感兴趣的正向磁阻状态。采用 Mott 双电流模型成功计算了不同磁性状态的隧道电阻，从而阐明了导致观察到传输现象的自旋配置。这些发现不仅为理解二维 CrSBr 复杂自旋纹理提供了新视角，也凸显了隧道测量作为探测 van der Waals 材料磁性有序性的敏感方法的有效性。
引用
@article{arxiv.2407.13230,
title = {Spin texture and tunneling magnetoresistance in atomically thin CrSBr},
author = {Ziqi Liu and Yichang Sun and Chengfeng Zhu and Canyu Hong and Yuchen Gao and Zeyuan Sun and Kenji Watanabe and Takashi Taniguchi and Shiwei Wu and Zuxin Chen and Pingfan Gu and Yu Ye},
journal= {arXiv preprint arXiv:2407.13230},
year = {2025}
}
备注
8 pages, 4 figures