磁性对 CrSBr 中垂直跳跃输运的影响

我们研究了 CrSBr 中 c 方向的线性区传导，这在其他范德瓦尔斯（vdW）磁性半导体中由于电流低到无法测量而无法实现。其电阻率——比 a 和 b 方向大 $10^8$ 到 $10^{11}$ 倍——表现出依赖于磁态的热激活和变程跳跃输运。在 2 T 的自旋翻转相中，由于导带边的下移，激活能比反铁磁态低 20 meV，这与第一性原理计算一致。在变程跳跃区域，平均跳跃长度在 2 T 时从两倍层间距减小到层间距，因为在反铁磁态中，大的交换能阻碍了电子在相邻层之间的跳跃。我们的工作表明，线性输运区域提供了关于 vdW 磁性半导体中电子过程的新信息，并展示了磁性如何在实空间和倒空间中影响这些过程。