1T-TaS2 中相关电荷有序相的应变工程
介观与纳米尺度物理
2025-10-30 v1 材料科学
摘要
应变工程是控制二维材料结构和电子性质的强大策略，特别是在存在电荷密度波（CDW）有序相的系统中。本文将单向拉伸和压缩应变应用于薄片1T-TaS2，并系统性地研究了应变依赖的近共轨（NC）到无共轨（IC）CDW相相变行为。该相变由室温下的 Joule 加热驱动。电子输运测量表明，NC-CDW 相的开关阈值电压和电阻均表现出明确且可逆的应变依赖性。此外，我们识别出应变诱导电阻变化与阈值电压之间存在二次函数关系，确认piezoresistive 调制主导了该相变的应变可调性。我们展示了一个在室温下 electrically 可读出的应变和位移传感器，具有可编程窗口内的阈值类响应。这些结果突显了1T-TaS2 在应变和位移 on-chip 传感方面的潜力。
引用
@article{arxiv.2510.25265,
title = {Strain Engineering of Correlated Charge-Ordered Phases in 1T-TaS2},
author = {Rafael Luque Merino and Felix Carrascoso and Eudomar Henríquez-Guerra and M. Reyes Calvo and Riccardo Frisenda and Andres Castellanos-Gomez},
journal= {arXiv preprint arXiv:2510.25265},
year = {2025}
}