单层、双层和三层 MoS2、MoSe2、WS2 和 WSe2 中的应变工程
材料科学
2021-05-11 v1 介观与纳米尺度物理
应用物理
摘要
应变是修改 MoS2、MoSe2、WS2 和 WSe2 等半导体性过渡金属硫族化合物的光学性质的有力工具。在这项工作中，我们提供了在这些二维半导体上进行单轴应变测量的技术细节的详尽描述，并提供了一种直接的校准方法以高精度确定所施加应变的大小。然后我们采用反射光谱来分析单层、双层和三层 MoS2、MoSe2、WS2 和 WSe2 的电子性质的应变可调性。最后，我们通过分析 15 个不同的单层 MoS2 薄片来量化薄片间的差异性。
引用
@article{arxiv.2006.06660,
title = {Strain engineering in single-, bi- and tri-layer MoS2, MoSe2, WS2 and WSe2},
author = {Felix Carrascoso and Hao Li and Riccardo Frisenda and Andres Castellanos-Gomez},
journal= {arXiv preprint arXiv:2006.06660},
year = {2021}
}
备注
4 main text figures, 5 tables, 18 figures in the supporting information