单层过渡金属硫族化合物中的应变理论
材料科学
2015-11-24 v2 介观与纳米尺度物理
摘要
应变工程已成为修饰二维晶体光学与电子性质的强大工具。在此，我们对应变半导体过渡金属硫族化合物进行了系统研究。应变效应在完整的 Slater-Koster 紧束缚模型中考虑，该模型给出了整个布里渊区中的能带结构。由此，我们推导了在布里渊区 K 点附近有效的低能模型，其包含直至动量与应变二阶的项。对于一般的应变分布，我们表明该模型的解可分别用谐振子和双量子阱模型表示价带和导带。我们进一步研究了均匀应变引起的电子与空穴带边位置的移动。最后，我们讨论了自旋-应变耦合在这些二维半导体材料中的重要性。
引用
@article{arxiv.1508.02908,
title = {Theory of strain in single-layer transition metal dichalcogenides},
author = {Habib Rostami and Rafael Roldán and Emmanuele Cappelluti and Reza Asgari and Francisco Guinea},
journal= {arXiv preprint arXiv:1508.02908},
year = {2015}
}