原子级薄过渡金属二硫族化物中的双轴应变
材料科学
2018-05-01 v1
摘要
单层半导体过渡金属二硫族化物中的应变工程旨在通过施加外部应变来调节其带隙能量并改变其光电性质。本文研究了沉积在聚合物基底上的过渡金属二硫族化物单层在施加双轴应变（拉伸和压缩）下的情况。我们通过改变基底温度使基底热膨胀或压缩来控制施加的双轴应变量。在通过有限元模拟对依赖于基底的应变传递过程进行建模后，我们对四种过渡金属二硫族化物单层（MoS₂、MoSe₂、WS₂、WSe₂）在施加双轴应变下进行了微差光谱测量，并测量了它们的光学性质。对于拉伸应变，我们观察到带隙红移，在沉积于聚丙烯上的单层WS₂情况下，红移值高达94 meV/%。观察到的带隙随基底拉伸/压缩的变化顺序为WS₂ > WSe₂ > MoS₂ > MoSe₂。
引用
@article{arxiv.1804.11095,
title = {Biaxial strain in atomically thin transition metal dichalcogenides},
author = {Riccardo Frisenda and Robert Schmidt and Steffen Michaelis de Vasconcellos and Rudolf Bratschitsch and David Perez de Lara and Andres Castellanos-Gomez},
journal= {arXiv preprint arXiv:1804.11095},
year = {2018}
}
备注
13 pages, 5 figures