中文

通过应变与电荷掺杂调控单层 $1T$-TiSe$_2$ 的电荷密度波:第一性原理研究

材料科学 2017-10-11 v1

摘要

我们利用第一性原理计算研究了面内双轴应变与电荷掺杂对单层 1T1T-TiSe2_2 电荷密度波 (CDW) 序的影响。结果表明,拉伸应变可以显著增强 CDW 序,而压缩应变与电荷掺杂(电子和空穴)均会抑制 CDW 不稳定性。拉伸应变可能为在单层 1T1T-TiSe2_2 基础上获得更高的 CDW 转变温度提供一种有效方法。我们还讨论了电荷掺杂单层 1T1T-TiSe2_2 中潜在的超导性。在单层 1T1T-TiSe2_2 中可以实现从 CDW 态到金属态甚至超导态的可控电子相变,这使得 1T1T-TiSe2_2 在基于 CDW 的可控开关电子器件中具有广阔的应用前景。

关键词

引用

@article{arxiv.1706.06309,
  title  = {Manipulating charge-density-wave in monolayer $1T$-TiSe$_2$ by strain and charge doping: A first-principles investigation},
  author = {M. J. Wei and W. J. Lu and R. C. Xiao and H. Y. Lv and P. Tong and W. H. Song and Y. P. Sun},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1706.06309},
  year   = {2017}
}

备注

6 pages, 7 figures