六方氮化硼封装增强 1T-TiSe₂ 纳米片的电荷密度波序
介观与纳米尺度物理
2016-11-03 v1
摘要
层状过渡金属二硫化物（TMDs）为探索维度对电荷密度波（CDW）序等关联电子相的影响提供了理想平台。当 TMDs 厚度减薄至二维极限时，衬底预计会对电子态产生显著影响。本文报道了不同厚度 1T-TiSe₂ 纳米片在六方氮化硼（h-BN）封装或 SiO₂ 衬底支撑下的电荷密度波（CDW）态研究。结果表明，维度降低导致 CDW 序增强，而无序和衬底声子倾向于破坏 CDW 序，阻碍在超薄样品中观测到本征 CDW 转变。封装的 10 nm 厚 1T-TiSe₂ 样品展现出本征 CDW，转变温度高达 235 K。我们的研究指出，在寻找室温 CDW 材料时，选择合适的衬底至关重要。
引用
@article{arxiv.1610.01725,
title = {Enhancing charge-density-wave order in 1T-TiSe2 nanosheet by encapsulation with hexagonal Boron Nitride},
author = {Linjun Li and WeiJie Zhao and Bo Liu and Tianhua Ren and Goki Eda and Kianping Loh},
journal= {arXiv preprint arXiv:1610.01725},
year = {2016}
}