薄层剥离 1T-VSe$_2$ 中电荷密度波序参量的维度交叉
强关联电子
2017-09-06 v1 材料科学
摘要
从层状化合物的块体基质中分离出少至一个单胞厚度的薄层的能力，为工程化新型电子相开辟了迷人的前景。然而，全面研究厚度依赖性及潜在的额外效应对于驾驭此类原子薄箔的电子性质至关重要。一个突出的例子是层状二硫属化物中的电荷密度波（CDW）转变温度，其在超薄极限下的厚度依赖性仍不明确。本文利用扫描隧道显微镜（STM）对 VSe 中 CDW 的厚度和温度依赖性进行了详细研究。我们表明，利用 STM 独有的优势在很宽的厚度范围内绘制实空间 CDW 周期性，可提供重要的见解。我们提出了一种基于实空间电荷调制振幅的局部序参量和转变温度的稳健推导方法。这两个量表现出显著的非单调厚度依赖性，我们用费米面（FS）拓扑结构的 3D 到 2D 维度交叉对此进行了解释。这一发现突显了厚度作为电子基态的真正调节参数的作用，并调和了在不同输运研究中确定的看似矛盾的厚度依赖性。
引用
@article{arxiv.1703.07212,
title = {Dimensional cross-over of the charge density wave order parameter in thin exfoliated 1T-VSe$_2$},
author = {Árpád Pásztor and Alessandro Scarfato and Céline Barreteau and Enrico Giannini and Christoph Renner},
journal= {arXiv preprint arXiv:1703.07212},
year = {2017}
}