扭转铁电六方氮化硼诱导的单层 WSe2 电子与空穴掺杂
材料科学
2023-12-07 v2 介观与纳米尺度物理
摘要
过去几年，二维铁电材料因其在未来纳米电子器件中的潜力而受到强烈关注。近期在绝缘六方氮化硼（最常用的二维材料之一）扭转层中发现二维铁电性，为其集成到结合杂化特性的复杂范德瓦耳斯异质结构中开辟了道路。在此我们展示，折叠 hBN 层铁电畴中的相反极化可在半导体过渡金属硫族化物 WSe2 单层上印刻局域 n 型和 p 型掺杂。我们证明 WSe2 可用作 hBN 中铁电性的光学探针，并表明掺杂密度与类型可通过半导体相对于铁电界面的位置进行控制。我们的结果确立了铁电 hBN/WSe2 范德瓦耳斯堆叠作为一种有前景的光电结构。
引用
@article{arxiv.2307.08146,
title = {Electron and hole doping of monolayer WSe2 induced by twisted ferroelectric hexagonal boron nitride},
author = {Jules Fraunié and Rayan Jamil and Richard Kantelberg and Sébastien Roux and Lionel Petit and Emmanuel Lepleux and Louis Pacheco and Kenji Watanabe and Takashi Taniguchi and Vincent Jacques and Laurent Lombez and Mikhail M. Glazov and Benjamin Lassagne and Xavier Marie and Cedric Robert},
journal= {arXiv preprint arXiv:2307.08146},
year = {2023}
}