双层氮化硼中由堆垛工程实现的铁电性
介观与纳米尺度物理
2021-06-04 v2 材料科学
摘要
具有可低至原子层厚度的稳健极化的二维铁电体为功能异质结构提供了新的构建单元。然而，由于需要层状极性晶体，实验报道仍然稀少。在此，我们展示了一种通过采用范德瓦耳斯组装从非铁电母体化合物设计二维铁电体的合理方法。平行堆垛的双层氮化硼被证明表现出依赖于堆垛序反转的面外电极化。该极化翻转通过相邻堆垛的石墨烯薄片的电阻进行探测。此外，将氮化硼薄片扭转一个小角度会因形成具有交错极化的莫尔铁电性而改变翻转的动力学。该铁电性持续至室温，同时保持石墨烯的高迁移率，为潜在的超薄非易失性存储器应用铺平了道路。
引用
@article{arxiv.2010.06600,
title = {Stacking-engineered ferroelectricity in bilayer boron nitride},
author = {Kenji Yasuda and Xirui Wang and Kenji Watanabe and Takashi Taniguchi and Pablo Jarillo-Herrero},
journal= {arXiv preprint arXiv:2010.06600},
year = {2021}
}
备注
Initial draft. The published paper contains piezoelectric force microscopy data