基于六方氮化硼中自旋缺陷的范德瓦耳斯铁磁体 Fe3GeTe2 的宽场成像
材料科学
2022-09-15 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
近年来，由范德瓦耳斯材料承载的具有可及自旋的新兴色心因其在实现变革性量子传感技术方面的巨大潜力而引起了广泛关注。六方氮化硼（hBN）由于能极其容易地集成到由低维材料构成的器件中，在此背景下自然具有相关性。利用 hBN 中的硼空位自旋缺陷，我们报道了在 Fe3GeTe2/hBN 范德瓦耳斯异质结构中维持的低维铁磁性的纳米级量子成像。借助自旋弛豫测量方法，我们进一步观察到了剥离的 Fe3GeTe2 薄片中空间变化的磁涨落，其幅度在居里温度附近达到峰值。我们的结果展示了 hBN 中自旋缺陷以可及且精确的方式研究层状材料局域磁性质的能力，该方法可轻易推广到广泛的微型化范德瓦耳斯异质结构系统。
引用
@article{arxiv.2112.13570,
title = {Wide Field Imaging of van der Waals Ferromagnet Fe3GeTe2 by Spin Defects in Hexagonal Boron Nitride},
author = {Mengqi Huang and Jingcheng Zhou and Di Chen and Hanyi Lu and Nathan J. McLaughlin and Senlei Li and Mohammed Alghamdi and Dziga Djugba and Jing Shi and Hailong Wang and Chunhui Rita Du},
journal= {arXiv preprint arXiv:2112.13570},
year = {2022}
}
备注
13 pages, 5 figures