基于聚焦离子束的六方氮化硼中自旋缺陷工程框架
材料科学
2023-11-13 v2
摘要
六方氮化硼（hBN）作为一种用于量子技术的具有光学活性自旋缺陷的宽禁带范德华宿主材料正受到越来越多的关注。hBN中自旋-光子接口的研究大多集中于带负电的硼空位（VB-）缺陷，其通常通过离子辐照制备。然而，当应用于hBN薄层（小于10 nm）时，VB-制备方法往往缺乏稳健性与可重复性。在此，我们确定了促进和抑制VB-生成的机制，并优化了用于定点制备光学活性VB-中心的离子束参数。我们强调了高分辨率聚焦离子束（FIB）系统可实现的条件下，并提出了一种适用于任意厚度hBN薄层中VB-制备的框架，以用于量子传感与量子信息处理。
引用
@article{arxiv.2303.06784,
title = {Framework for engineering of spin defects in hexagonal boron nitride by focused ion beams},
author = {Madeline Hennessey and Benjamin Whitefield and Angus Gale and John A Scott and Mehran Kianinia and Igor Aharonovich and Milos Toth},
journal= {arXiv preprint arXiv:2303.06784},
year = {2023}
}
备注
11 pages, 5 figures