六方氮化硼中自旋缺陷的飞秒激光写入
量子物理
2021-04-27 v2 介观与纳米尺度物理
摘要
宽禁带材料中的光活性自旋缺陷在量子信息与量子传感方面具有许多潜在应用。二维层状范德瓦耳斯材料中的自旋缺陷才刚刚开始被研究。本文中，我们展示了可通过飞秒激光辐照产生六方氮化硼（hBN）中可光学寻址的自旋系综。我们观测到由激光辐照产生的hBN自旋缺陷的光学探测磁共振（ODMR）。我们表明，hBN中自旋缺陷的产生强烈受飞秒激光脉冲能量的影响。当激光脉冲数少于几千时，脉冲数仅影响缺陷密度而不影响缺陷类型。在适当的激光参数下，可以以高成功率生成自旋缺陷。我们的工作提供了一种通过飞秒激光写入在hBN中创建自旋缺陷的便捷方法，显示出在量子技术方面的良好前景。
引用
@article{arxiv.2012.03207,
title = {Femtosecond Laser Writing of Spin Defects in Hexagonal Boron Nitride},
author = {Xingyu Gao and Siddhant Pandey and Mehran Kianinia and Jonghoon Ahn and Peng Ju and Igor Aharonovich and Niranjan Shivaram and Tongcang Li},
journal= {arXiv preprint arXiv:2012.03207},
year = {2021}
}
备注
6 figures