室温下六方氮化硼中的自旋依赖量子发射
量子物理
2019-07-23 v1
摘要
宽禁带半导体中与缺陷相关的可光学寻址自旋是量子信息处理和纳米尺度传感的通用平台，其中自旋依赖的系间窜越 (ISC) 跃迁促进了光学自旋初始化与读取。近来，范德瓦耳斯材料六方氮化硼 (h-BN) 已成为量子发射体 (QE) 的稳健宿主，但自旋相关效应尚待观测。在此，我们报道了在 h-BN 中选定量子发射体随外加磁场表现出强各向异性光致发光 (PL) 图案的室温观测结果。稳态 PL 和光子发射统计的场依赖变化与一种电子模型一致，该模型具有三重态与单重态流形之间的自旋依赖 ISC，表明 h-BN 中存在可光学寻址的自旋缺陷——这是一种通用的二维材料，有望实现高效光子提取、原子尺度工程，以及利用范德瓦耳斯异质结构实现基于自旋的量子技术。
引用
@article{arxiv.1804.09061,
title = {Spin-Dependent Quantum Emission in Hexagonal Boron Nitride at Room Temperature},
author = {Annemarie L. Exarhos and David A. Hopper and Raj N. Patel and Marcus W. Doherty and Lee C. Bassett},
journal= {arXiv preprint arXiv:1804.09061},
year = {2019}
}
备注
38 pages, 34 figures