Rhombohedral Boron Nitride中的量子发射器
光学
2025-02-24 v1 材料科学
摘要
Rhombohedral 硼氮化物（rBN）是一种新兴的宽带隙层状范达尔氏（vdW）材料，兼具强二阶非线性光学特性与层状2D系统的结构灵活性。本文我们发现rBN可容纳光可寻址的自旋缺陷和单光子发射器（SPE）。这些缺陷通过确定性制造技术人工制备，与六方态硼氮化物（hBN）的类比器进行比较。比较了hBN和rBN的发射光谱，并用于阐明hBN和rBN中缺陷的计算模型，以阐明B中心SPE在BN中争议性的原子结构。我们的结果确立rBN作为一种单晶vdW平台，独特地结合了二阶非线性光学特性、光可寻址自旋缺陷和高质量SPE，为集成量子和非线性光子学开辟了新可能性。
引用
@article{arxiv.2502.15157,
title = {Quantum Emitters in Rhombohedral Boron Nitride},
author = {Angus Gale and Mehran Kianinia and Jake Horder and Connor Tweedie and Mridul Singhal and Dominic Scognamiglio and Jiajie Qi and Kaihui Li and Carla Verdi and Igor Aharonovich and Milos Toth},
journal= {arXiv preprint arXiv:2502.15157},
year = {2025}
}