利用应变指纹识别六方氮化硼中的量子发射体
材料科学
2020-07-01 v1 计算物理
摘要
二维范德瓦耳斯晶体及其异质结构为体块宽禁带半导体作为单光子发射体宿主提供了令人振奋的替代方案。在不同层状材料中，已于层状宽禁带半导体六方氮化硼内观测到明亮且稳定的基于缺陷的单光子发射体。尽管迄今已有研究努力，导致六方氮化硼中量子发射的深缺陷身份仍未知。在本理论工作中，我证明应变引起的发射频率变化取决于：(i) 光学激发中所涉缺陷态的具体性质，以及 (ii) 丰富的硼化学所导致的硼原子间复杂相互作用。由于每种缺陷对应变呈现不同响应，其不仅可用于调谐发射频率，亦可用于识别六方氮化硼中的量子发射体。
引用
@article{arxiv.2002.05098,
title = {Fingerprinting quantum emitters in hexagonal boron nitride using strain},
author = {Pratibha Dev},
journal= {arXiv preprint arXiv:2002.05098},
year = {2020}
}