六方石墨烯量子缺陷的Stark位移

六方石墨烯中的色心中心已成为量子信息应用的有前景的候选者，因其高效且光亮的单光子发射。尽管直接表征这些发射器具有挑战，但外部场与缺陷之间的相互作用，如Stark位移，提供了有价值的关于其局部几何配置的见解。在本研究中，我们聚焦于阐明实验中观察到的特定2 eV发射范围内的Stark位移特征的可能来源。我们发现，缺陷的局部对称性在决定Stark位移的性质方面起关键作用，这种性质可以是线性的或二次的。此外，局部介电环境显著影响Stark位移响应。我们的计算不仅增进了对这些迄今未知发射器的微观结构的理解，也为其更有效地用作量子技术中的单光子源和量子比特提供了可能。