六方氮化硼中单光子发射体的斯塔克调谐

单光子发射体在量子技术（包括量子计算和量子通信）中起着至关重要的作用。六方氮化硼（h-BN）中的原子缺陷最近作为固态系统中新的室温单光子发射体出现，但可扩展且可调谐的h-BN单光子发射体的发展需要能够控制单个缺陷发射能量的外部方法。在此，通过制备h-BN与石墨烯的范德瓦耳斯异质结构，我们展示了利用斯塔克效应电学控制h-BN中原子缺陷的单光子发射。通过石墨烯栅极施加面外电场，我们观察到高达每GV/m 5.4 nm的斯塔克位移。垂直电场产生的斯塔克位移表明原子缺陷发射体存在面外偶极矩，这得到第一性原理理论计算的支持。此外，我们发现场诱导的发射强度的离散修饰与稳定化，其可通过外部电场可逆控制。