少层六方氮化硼中的光活性自旋缺陷
量子物理
2023-10-03 v2 材料科学
摘要
六方氮化硼(hBN)中的光活性自旋缺陷是用于设计二维量子传感单元的极具前景的量子系统，其对待测样品具有最佳的近邻性。在本工作中，我们首先证明，尽管晶体表面的纳米级近邻常导致固态自旋缺陷稳定性退化，但在少原子层厚hBN薄片极限下，仍可通过光学方式探测到硼空位中心(V)的电子自旋共振频率。随后，我们分析了V中心的电子自旋性质随hBN厚度的变化，重点关注(i)零场分裂参数，(ii)光诱导自旋极化率，以及(iii)纵向自旋弛豫时间。本工作为嵌入超薄hBN薄片中的V中心的性质提供了重要见解，这对基于箔片的量子传感技术的未来发展具有价值。
引用
@article{arxiv.2304.12071,
title = {Optically-active spin defects in few-layer thick hexagonal boron nitride},
author = {A. Durand and T. Clua-Provost and F. Fabre and P. Kumar and J. Li and J. H. Edgar and P. Udvarhelyi and A. Gali and X. Marie and C. Robert and J. M. Gérard and B. Gil and G. Cassabois and V. Jacques},
journal= {arXiv preprint arXiv:2304.12071},
year = {2023}
}
备注
7 pages, 3 figures