从块体晶体剥离的六方氮化硼中硼空位创建方法探究
应用物理
2023-05-10 v1 材料科学
摘要
六方氮化硼（hBN）中的硼空位（VB）因其电子自旋特性近年引发极大兴趣。由于hBN可轻松集成至与其他多种2D材料界面的器件中，硼空位可作为精密传感器，部署于许多重要材料系统的极近邻域。硼空位缺陷可由多种现有方法产生，方法选用或取决于最终应用。任何方法都应可复现地生成具有受控密度与所需图案的缺陷。然而迄今缺乏对此类方法的详细研究。本文研究从块体晶体制备hBN薄片的各种技术——聚焦离子束（FIB）、电子辐照与离子注入，以及相关的后处理工艺，以随薄片厚度与缺陷浓度变化创建VB。我们发现薄片厚度在优化注入参数时起重要作用，而细致样品清洗对获得最佳结果十分关键。
引用
@article{arxiv.2305.05241,
title = {Exploring methods for creation of Boron-vacancies in hexagonal Boron Nitride exfoliated from bulk crystal},
author = {T. Zabelotsky and S. Singh and G. Haim and R. Malkinson and S. Kadkhodazadeh and I. P. Radko and I. Aharonovich and H. Steinberg and Kirstine Berg-Sørensen and A. Huck and T. Taniguchi and K. Watanabe and N. Bar-Gill},
journal= {arXiv preprint arXiv:2305.05241},
year = {2023}
}