基于六方氮化硼的光子纳米结构制备
应用物理
2018-09-21 v1 材料科学
光学
摘要
基于层状范德瓦耳斯（vdW）材料器件的日益增长兴趣正推动新纳米制备工艺的发展。六方氮化硼（hBN）是用于量子光子学与极化激元研究最有前景的材料之一。在此，我们详细报道一种有前景的纳米制备工艺，其使用混合电子束诱导刻蚀（EBIE）与反应离子刻蚀（RIE）技术制备若干hBN光子器件。我们强调RIE与EBIE的缺点与优点，并展示该混合方法在制备具有纳米尺度特征与高垂直侧壁的悬空及支撑器件结构中的效用。所制器件的功能通过高质量腔光学模式（Q~1500）的测量得到证明。我们的纳米制备方法是朝着基于hBN及其他层状vdW材料的集成单片量子光子学平台迈出的一步进展。
引用
@article{arxiv.1809.07561,
title = {Fabrication of photonic nanostructures from hexagonal boron nitride},
author = {Johannes E. Fröch and Yongsop Hwang and Sejeong Kim and Igor Aharonovich and Milos Toth},
journal= {arXiv preprint arXiv:1809.07561},
year = {2018}
}