应用于半导体加工的大面积硼酸酯脱层抑制技术

六方晶体硼酸酯（hBN）因其宽带隙和卓越光学性能，被视为下一代半导体和光电子器件的有前景材料。为将其应用于半导体行业，需在晶圆尺度上生长大面积层。化学气相沉积方法在此方面尤为可取。然而， epitaxial BN 因其脆弱性和在湿法加工（如光刻）期间易发生脱层和折叠 formation，成为器件制造集成的重大挑战。本文引入一种受控脱层与再沉积方法，有效防止层面 degradation，使其适用于多步骤光刻工艺。该方法适用于厚度从几十纳米到几百纳米的 BN 层，确保与标准光刻技术兼容且不损害材料固有属性。通过解决关键加工挑战，该方法为将 epitaxial BN 集成到先进半导体和光电子技术铺平了道路。