用于自旋电子学应用的Ni(111)上外延多层h-BN的结构与电子性质
材料科学
2016-03-28 v1
摘要
六方氮化硼(h-BN)因具有大带隙、低自旋轨道耦合以及与石墨烯和fcc-Ni(111)、hcp-Co(0001)密排面小的晶格失配，而成为自旋电子学中应用的有前景材料。在铁磁金属上外延沉积h-BN旨在实现电荷与自旋载流子的微小界面散射。我们报道了利用分子束外延(MBE)可控生长h-BN/Ni(111)。利用截面透射电子显微镜(TEM)和电子能谱研究了该体系的结构与电子性质，其结果与该块体h-BN的性质高度吻合。后者也得到了密度泛函理论(DFT)计算的佐证，揭示出与Ni界面的第一层h-BN呈金属性。我们的研究表明，MBE是剥离法和化学气相沉积法之外一种有前景且通用的h-BN制备替代方案。
引用
@article{arxiv.1510.04034,
title = {Structural and electronic properties of epitaxial multilayer h-BN on Ni(111) for spintronics applications},
author = {A. A. Tonkikh and E. N. Voloshina and P. Werner and H. Blumtritt and B. Senkovskiy and G. Güntherodt and S. S. P. Parkin and Yu. S. Dedkov},
journal= {arXiv preprint arXiv:1510.04034},
year = {2016}
}
备注
text, 4 figures, and supplementary info