高温分子束外延在蓝宝石上实现旋转对齐的六方氮化硼
材料科学
2019-06-18 v1
摘要
通过超高温度分子束外延（MBE）在蓝宝石衬底上生长了六方氮化硼（hBN）。我们探索了广泛的衬底温度与硼束流范围，发现高结晶质量 hBN 层在高于 C 的衬底温度和约 Torr 束等效压力的较低硼束流下生长。原位反射高能电子衍射（RHEED）显示所生长的 hBN 层具有 旋转对称性，且 hBN 的 轴平行于蓝宝石衬底的 轴。与先前报道的粗糙多晶薄膜不同，这些薄膜的原子力显微镜（AFM）和透射电子显微镜（TEM）表征表明，在氮化蓝宝石衬底上形成了光滑、层状、几纳米厚的 hBN 薄膜。这一通过 MBE 实现高质量 hBN 生长的证明，朝着将其集成到现有外延生长平台、应用与技术中迈出了一步。
引用
@article{arxiv.1906.07034,
title = {Rotationally Aligned Hexagonal Boron Nitride on Sapphire by High-Temperature Molecular Beam Epitaxy},
author = {Ryan Page and Yongjin Cho and Joseph Casamento and Sergei Rouvimov and Huili Grace Xing and Debdeep Jena},
journal= {arXiv preprint arXiv:1906.07034},
year = {2019}
}