利用X射线光电子能谱研究扩散析出法中六方氮化硼的生长过程
介观与纳米尺度物理
2019-07-03 v1
摘要
在超高真空中通过扩散析出法于 Ni 箔上生长了亚单层 h-BN，并利用 X 射线光电子能谱研究了其生长过程。h-BN 的形成在 600°C 开始被观察到。整个过程中表面始终略微富 B，这与高温下可溶于 Ni 且能通过常规体扩散在 Ni 中扩散的 B 以及不溶的 N 不能扩散的事实一致。此外，发现 h-BN 的形成与分解均发生在升温下，可能取决于表面 N 原子的供给。在 Ni 表面上，h-BN 的分解在较低的 800°C 即被观察到。
引用
@article{arxiv.1907.01123,
title = {Growth Process of Hexagonal Boron Nitride in the Diffusion and Precipitation Method Studied by X-ray Photoelectron Spectroscopy},
author = {Satoru Suzuki and Yuichi Haruyama},
journal= {arXiv preprint arXiv:1907.01123},
year = {2019}
}