Ir(110)上对齐与扭转六方氮化硼的生长
材料科学
2024-02-16 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
利用低能电子衍射和扫描隧道显微镜，研究了通过低压化学气相沉积在Ir(110)上生长单层六方氮化硼（h-BN）。我们发现，在Ir(110)上生长对齐的单层六方氮化硼需要1500 K的生长温度，而较低的生长温度会导致对齐h-BN与扭转h-BN共存。h-BN覆盖层的存在抑制了洁净Ir(110)上已知的纳米刻面脊状图案的形成。相反，我们观察到一种(1×n)重构的形成，其中n使得缺失行与h-BN/Ir(110)莫尔图案相匹配。我们的莫尔分析展示了一种用于确定fcc(110)表面上莫尔周期性和h-BN晶格参数的精确方法。
引用
@article{arxiv.2308.06074,
title = {Growth of aligned and twisted hexagonal boron nitride on Ir(110)},
author = {Thomas Michely and Jason Bergelt and Affan Safeer and Alexander Bäder and Tobias Hartl and Jeison Fischer},
journal= {arXiv preprint arXiv:2308.06074},
year = {2024}
}