Ir(111)上单层六方氮化硼岛的微观分析
介观与纳米尺度物理
2017-06-02 v1
摘要
通过化学气相沉积在 Ir(111) 上生长了高结晶质量的大面积六方氮化硼单层岛，并利用低能电子显微镜进行了研究。观察到两种类型的 hBN 岛，它们在形状和相对于铱的取向方面存在结构差异，其中前者很大程度上取决于铱的台阶形貌。光电子发射电子显微镜和 IV-LEEM 谱学揭示，这两种岛类型还表现出不同的功函数和与铱的结合力，这为它们形状和生长模式的差异提供了解释。此外，在 hBN 的 CVD 合成中使用了不同的温度，发现在高于约 950 °C 的温度下，源自分解的硼嗪分子或崩解的 hBN 岛的硼原子可以形成额外的致密重构区域。所呈现的结果对于推进高质量 hBN 和其他硼基层状材料的合成具有重要意义，因此可能加速其技术应用。
引用
@article{arxiv.1706.00239,
title = {Microanalysis of single-layer hexagonal boron nitride islands on Ir(111)},
author = {Marin Petrović and Ulrich Hagemann and Michael Horn-von Hoegen and Frank-J. Meyer zu Heringdorf},
journal= {arXiv preprint arXiv:1706.00239},
year = {2017}
}
备注
9 pages, 6 figures