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Li3BN2-BN 系统中六方形硼氮硅晶体的生长

材料科学 2024-10-16 v1

摘要

六方形硼氮(hBN)具备宝贵的固有特性,并因其在开发基于二维材料的新型技术领域而引发广泛关注。尽管已付出巨大努力改进从下向上合成高品质集成 hBN,但性能最佳的器件仍制造于从 bulk 硅晶中剥离的 hBN。因此,我们探索了聚合物派生陶瓷(PDC)工艺搭配高温处理,以生产毫米级高品质 hBN 晶体。通过考察多个样品的(微)结构,我们证明晶体生长通过从 Li3BN2-BN 溶液在冷却过程中进行分离以及从 hBN 种子处进行晶体化实现。特别地,我们表明晶体化可在温度仅为 1400\textdegreeC{\textdegree}C 时即可发生。总体而言,这些结果表明 Li3BN2-BN 系统中的 hBN 晶体生长可与常规通量法相容,且该方法可能是连续种子生长 hBN 晶体的最有前景的平台。

关键词

引用

@article{arxiv.2410.11334,
  title  = {Hexagonal boron nitride crystal growth in the Li3BN2-BN system},
  author = {Camille Maestre and Philippe Steyer and Bérangère Toury and Catherine Journet and Vincent Garnier},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2410.11334},
  year   = {2024}
}