用于高通量表征的六方氮化硼在光子芯片上的直接生长
光学
2021-03-30 v1 材料科学
仪器与探测器
摘要
将光学显微方法改造用于二维（2D）材料缺陷的纳米级表征，是光子片上器件的关键一步。为提高分析通量，近期发展了基于波导的片上成像平台。然而其固有缺点是需将 2D 材料从生长衬底转移至成像芯片，这会引入污染，可能改变表征结果。本文提出一种独特方法以规避这些缺陷：在氮化硅芯片上直接生长广泛使用的 2D 材料（六方氮化硼，hBN），并对完整原生长材料中的缺陷进行光学表征。我们将直接生长方法与标准湿法转移方法比较，确认了直接生长的明显优势。尽管当前工作以 hBN 演示，该方法易于扩展至其他 2D 材料。
引用
@article{arxiv.2103.15415,
title = {Direct growth of hexagonal boron nitride on photonic chips for high-throughput characterization},
author = {Evgenii Glushkov and Noah Mendelson and Andrey Chernev and Ritika Ritika and Martina Lihter and Reza R. Zamani and Jean Comtet and Vytautas Navikas and Igor Aharonovich and Aleksandra Radenovic},
journal= {arXiv preprint arXiv:2103.15415},
year = {2021}
}