通过分子束外延在镍箔上合成原子级薄六方氮化硼薄膜
材料科学
2015-05-29 v3
摘要
六方氮化硼 (h-BN) 是一种层状二维材料，其特性使其作为各种应用中的电介质极具前景。我们报告了使用分子束外延技术，由元素 B 和 N 在 Ni 箔上生长 h-BN 薄膜的情况。拉曼光谱证实了整个衬底上存在结晶 h-BN。原子力显微镜用于检查合成薄膜的形貌和连续性。对使用较短沉积时间获得的薄膜进行的扫描电子显微镜研究，揭示了 h-BN 在 Ni 衬底上的成核和生长行为。研究发现，随着生长温度的升高，h-BN 的形貌从树突状、星形岛演变为更大、更平滑的三角形岛。
引用
@article{arxiv.1501.06606,
title = {Synthesis of atomically thin hexagonal boron nitride films on nickel foils by molecular beam epitaxy},
author = {S. Nakhaie and J. M. Wofford and T. Schumann and U. Jahn and M. Ramsteiner and M. Hanke and J. M. J. Lopes and H. Riechert},
journal= {arXiv preprint arXiv:1501.06606},
year = {2015}
}