分子束外延生长的少数层 h-BN 薄膜中的发光缺陷
介观与纳米尺度物理
2019-02-26 v1 材料科学
光学
量子物理
摘要
我们报道了通过分子束外延在 Ni 上生长的少数层厚六方氮化硼（h-BN）薄膜中所含的发光中心。转移至 SiO/Si 衬底后，在光致发光与阴极发光谱的紫外及可见范围内均观察到尖锐谱线。空间分辨测量揭示，造成这些谱线的发光中心定域于 h-BN 薄膜成核中心处形成的微观多层岛内。将其能量、偏振与声子复本发射同先前理论预言比较表明，NV 反位缺陷可能是样品中存在的发光体之一。此外，我们也观察到其他类型中心的证据，其可能关联含碳或氧的缺陷。所表征的发光缺陷可作为量子光源具有潜在应用。
引用
@article{arxiv.1902.08528,
title = {Luminescent defects in a few-layer h-BN film grown by molecular beam epitaxy},
author = {A. Hernández-Mínguez and J. Lähnemann and S. Nakhaie and J. M. J. Lopes and P. V. Santos},
journal= {arXiv preprint arXiv:1902.08528},
year = {2019}
}