高质量六方氮化硼中的蓝光发射色心
介观与纳米尺度物理
2019-10-23 v6 材料科学
摘要
宽禁带半导体中的发光体具有重大的基础意义，并有望作为光可寻址的量子比特。在此我们报道在高质量六方氮化硼（h-BN）中发现一种新型色心，其发射锐线位于 435 nm。这些发光体可通过电子束辐照被激活和失活，并具有与弱耦合于晶格振动的原子色心相一致的光谱和时间特征。这些发光体在市售 h-BN 中明显缺失，仅存在于使用高压高温 Ba-B-N 助熔剂/溶剂生长的超高质量 h-BN 中，表明这些发光体源自该独特合成路径特有的杂质或相关缺陷。我们的结果表明，光发射是通过电子束对杂质-缺陷复合体电荷态的操控而激活和失活的。
引用
@article{arxiv.1904.12107,
title = {Blue-Light-Emitting Color Centers in High-Quality Hexagonal Boron Nitride},
author = {Brian Shevitski and S. Matt Gilbert and Christopher T. Chen and Christoph Kastl and Edward S. Barnard and Ed Wong and D. Frank Ogletree and Kenji Watanabe and Takashi Taniguchi and Alex Zettl and Shaul Aloni},
journal= {arXiv preprint arXiv:1904.12107},
year = {2019}
}