在 Cu-Ni 合金上合成大尺寸单晶六方氮化硼晶粒
材料科学
2015-03-11 v1
摘要
六方氮化硼因其优异的性能以及作为石墨烯基器件理想介质层的潜力而受到广泛关注。早期报道中通过化学气相沉积获得的 h-BN 薄膜总是多晶的，且由于基底上高成核密度而具有小晶粒。在这里，我们报道了在合理设计的 Cu-Ni 合金箔上成功合成了大尺寸单晶 h-BN 晶粒。研究发现，通过优化基底中的 Ni 比例，成核密度可大幅降低至每平方毫米 60 个。该策略使得单晶 h-BN 晶粒的生长可达 7500 μm²，约为先前报道的 2 个数量级更大。这项工作不仅为理解 h-BN 成核和生长机制提供了有价值的信息，而且为大规模纳米电子应用中的高质量介质层提供了一种剥离 h-BN 的有效替代方案。
引用
@article{arxiv.1503.02804,
title = {Synthesis of large single-crystal hexagonal boron nitride grains on Cu-Ni alloy},
author = {Guangyuan Lu and Tianru Wu and Qinghong Yuan and Huishan Wang and Haomin Wang and Feng Ding and Xiaoming Xie and Mianheng Jiang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1503.02804},
year = {2015}
}
备注
14 pages, 5 figures