在 Cu(111) 薄膜上晶圆级外延生长的单晶六方氮化硼单层
材料科学
2021-06-02 v2 介观与纳米尺度物理
摘要
我们展示了在具有高对称指数表面晶面 Cu(111) 上的晶圆级六方氮化硼（hBN，一种绝缘原子薄单层）的单晶生长。单向外延生长由 Cu(111) 上与 B6N7 团簇对接的 A 步与 B 步边缘之间约 0.23 eV 的大结合能差所保证，该结果经密度泛函理论计算确认。
引用
@article{arxiv.2105.15040,
title = {Single-crystal hexagonal boron nitride monolayer epitaxially grown on Cu (111) thin film across a wafer},
author = {Tse-An Chen and Chih-Piao Chuu and Chien-Chih Tseng and Chao-Kai Wen and H. -S. Philip Wong and Shuangyuan Pan and Rongtan Li and Yanfeng Zhang and Qiang Fu and Boris I. Yakobson and Wen-Hao Chang and Lain-Jong Li},
journal= {arXiv preprint arXiv:2105.15040},
year = {2021}
}