Pt(111) 上晶圆级单层六方氮化硼的外延生长
材料科学
2021-05-18 v1
摘要
在 2 英寸 Pt(111)/蓝宝石晶圆上制备了单层六方氮化硼。在 1000 至 1300 K 的工艺温度范围内,通过光电子产额测量对硼嗪气相沉积的生长进行了原位研究。生长动力学在较高温度下更慢,并遵循 tanh 规律,该规律在较高温度下拟合更好。h-BN/Pt(111) 的晶体质量由扫描低能电子衍射(x-y LEED)推断。数据表明外延生长对生长温度有强烈依赖。主导结构为对齐的重合晶格,每 9 个 Pt(11) 晶胞上有 10 个 h-BN,并在毫米尺度上遵循衬底孪晶。
引用
@article{arxiv.2105.07215,
title = {Wafer-scale, epitaxial growth of single layer hexagonal boron nitride on Pt(111)},
author = {Adrian Hemmi and Huanyao Cun and Steven Brems and Cedric Huyghebaert and Thomas Greber},
journal= {arXiv preprint arXiv:2105.07215},
year = {2021}
}