六方氮化硼上 MoTe$_2$ 的分子束外延生长

六方氮化硼已被证明可作为多种二维材料（如石墨烯、MoSe$_{\tiny{\textrm{2}}}$、MoS$_{\tiny{\textrm{2}}}$ 或 WSe$_{\tiny{\textrm{2}}}$）高质量外延生长的优良衬底。在此，我们首次展示了在原子级光滑的六方氮化硼 (hBN) 衬底上分子束外延生长 MoTe$_{\tiny{\textrm{2}}}$。MoTe$_{\tiny{\textrm{2}}}$ 以多种晶相出现，如具有半金属性质的扭曲八面体 1T' 相或具有半导体性质的六方 2H 相，这为制备性质可调的晶相同质结构提供了可能。对单层生长模式下的 MoTe$_{\tiny{\textrm{2}}}$ 进行原子力显微镜研究，使我们能够确定表面形貌随生长条件的变化。生长在 hBN 上的 MoTe$_{\tiny{\textrm{2}}}$ 的扩散常数可通过生长后退火改变 5 倍，达到约 5 $\cdot$ 10$^{-6}$ cm$^{2}$/s。拉曼光谱结果表明，所研究样品中同时存在 2H 和 1T' MoTe$_{\tiny{\textrm{2}}}$ 相。