MoSe2/hBN/Ru(0001) 异质结中的带隙重整化与功函数调控
材料科学
2017-01-04 v1
摘要
在此，我们报告利用分子束外延在 Ru(0001) 衬底上的单层六方氮化硼 上成功生长了 MoSe2。我们利用扫描隧道显微镜和能谱研究了 MoSe2 的电子结构。令人惊讶的是，我们发现 hBN/Ru 上 MoSe2 的准粒子能隙比在石墨烯或石墨衬底上的小约 0.25 eV。我们将这一结果归因于 hBN/Ru 之间的强相互作用，这导致了来自衬底的残余金属屏蔽。MoSe2 的表面呈现出复制了 hBN/Ru 的莫尔图案的莫尔图案。此外，MoSe2 的电子结构和功函数被静电调控，幅度约为 0.13 eV。最有趣的是，这种静电调控在空间上与 Ru(0001) 上 hBN 的莫尔图案同相，后者的表面也表现出相同幅度的功函数调控。
引用
@article{arxiv.1609.01777,
title = {Band gap renormalization and work function tuning in MoSe2/hBN/Ru(0001) heterostructures},
author = {Qiang Zhang and Yuxuan Chen and Chendong Zhang and Chi-Ruei Pan and Mei-Yin Chou and Changgan Zeng and Chih-Kang Shih},
journal= {arXiv preprint arXiv:1609.01777},
year = {2017}
}
备注
4 figures, 2 supplementary figures