通过调控 InSe/CuSe 垂直异质结中电偶极子实现莫尔诱导带隙调谐
材料科学
2023-01-31 v2
摘要
具有晶格常数失配和/或相对扭转角的两层堆叠材料可产生莫尔图案，从而调制原始材料的电子性质。本文中，我们结合扫描隧道显微镜/谱学与密度泛函理论计算，研究通过两步分子束外延合成的 InSe/CuSe 垂直异质结中莫尔势诱导的带隙调谐。扫描隧道显微镜测量表明该异质结具有约 3.48 nm 的超晶格周期，且单层间扭转角约为 11°。在异质结不同堆叠位点记录的扫描隧道谱显示 InSe 的带隙具有位置依赖性，观察到 400 meV 的变化。密度泛函理论计算揭示单层 InSe 中莫尔诱导的电偶极子是调谐带隙的关键因素。此外，由于与堆叠相关，CuSe 与 InSe 之间的电荷转移也对带隙变化有贡献。我们还表明莫尔势不仅能调谐 InSe 的带隙，还能在某些堆叠中消除 CuSe 的狄拉克节线。我们的探索为理解二维莫尔材料的电子性质提供了有价值的信息。
引用
@article{arxiv.2212.01743,
title = {Moir\'e-induced bandgap tuning by varying electric dipole in InSe/CuSe vertical heterostructure},
author = {Bo Li and Meysam Bagheri Tagani and Sahar Izadi Vishkayi and Yumu Yang and Jing Wang and Qiwei Tian and Chen Zhang and Li Zhang and Long-Jing Yin and Yuan Tian and Lijie Zhang and Zhihui Qin},
journal= {arXiv preprint arXiv:2212.01743},
year = {2023}
}
备注
Accepted for publication in Appl. Phys. Lett