双层MoSe2中由反相畴界诱导的堆叠与能带结构多样性
材料科学
2017-10-17 v2
摘要
层间旋转与堆叠近来被证明是调控各种二维材料物理性质的有效策略。后一种策略大多在具有连续变化堆叠序的异质结构中实现，这妨碍了揭示特定堆叠序在其物理性质中的本征作用。在此，我们将反相畴界引入分子束外延生长的MoSe2同质双层中，这为其周围畴区带来了不寻常的分数晶格平移，从而解释了所观察到的大面积均匀堆叠序列的多样性。利用透射电子显微镜观察到了不寻常的低对称性堆叠序，并通过密度泛函理论确定了其详细几何结构。还揭示了层间距与堆叠能之间的线性关系。这些堆叠序列在{\Gamma}和K点的价态之间产生了不同的能量对齐，在测量的扫描隧道谱中显示出依赖于堆叠的带隙与价带尾态。这些结果可能有益于设计具有可操控堆叠序的二维多层结构。
引用
@article{arxiv.1709.00562,
title = {Inversion Domain Boundary Induced Stacking and Bandstructure Diversity in Bilayer MoSe2},
author = {Jinhua Hong and Cong Wang and Hongjun Liu and Xibiao Ren and Jinglei Chen and Guanyong Wang and Jinfeng Jia and Maohai Xie and Chuanhong Jin and Wei Ji and Jun Yuan and Ze Zhang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1709.00562},
year = {2017}
}
备注
to be published in Nano Letters