基于第一性原理 DFT 计算研究双层锗烯电子结构中的能带劈裂
材料科学
2019-01-24 v2
摘要
近期关于锗烯作为量子自旋霍尔绝缘体的研究促使我们利用第一性原理计算研究双层锗烯，旨在通过调制双层堆叠顺序（和角度）来改善和开发新性质。这种层间堆叠已被证明是调制单层材料性质的有效技术。在此，我们设计了多种具有不同堆叠角度以及 AA 和 AB 构型的双层系统。我们并未观察到自旋轨道耦合（SOC）引起的带隙改善，而是目睹了由 SOC 导致的能带劈裂，这是堆叠 MoS2 片层的特征行为。这种能带劈裂产生了不同的、独立的且截然不同的自旋向上和自旋向下通道，表现出依赖于谷的自旋极化。此外，与堆叠 MoS2 系统形成对比的是，我们注意到在我们的系统中，堆叠角度和顺序确实会影响电子态。
引用
@article{arxiv.1710.05701,
title = {Band splitting in bilayer stanene electronic structure scrutinized via first principle DFT calculations},
author = {Mohammed Ghadiyali and Sajeev Chacko},
journal= {arXiv preprint arXiv:1710.05701},
year = {2019}
}
备注
11 pages, 6 figures